低周波低電力npnトランジスタ

中電力トランジスタ

低域と中域。トランジスタ r-n-r GT403（A-I、10）柔軟な金属ケースで製造されています）、

重量は4gで、動作温度の範囲は-55〜+700°Cです。

それらの主なパラメータを以下に示します。

	GT403（A-E、K）	GT403（W、I）
Ik = 0.45A....での静電流伝達係数
逆電流、μA、20°Cで：
グループのIe=100 mA、Uh = 5 V、f = 50-300Hzでの電流伝達係数： GT403（A、B、G）.....。
GT403（B、G、D）.....。
GT403（10）.......。
ipynnのOEがIe=100 mA、UK = 5 Vの回路での電流伝達周波数kHzの制限：GT403（A-B、E、F、I、10）
GT403（G、D）.......。
飽和モードでの電圧V：
グループの電圧UkbおよびUke、V：GT403（A、B、10）..... ..
GG403（V、D、D、E）....。
熱抵抗、°С/ W：
転移温度、°С。。。。

注：1。GT403Dの電圧Uebは30 Vで、他のすべてのグループの場合は-20V2ヒートシンク付きのトランジスタGT403VおよびGT403Eの熱抵抗は12°C/Wです。

トランジスタ n-p-n GT404（A、B、C、D）可聴周波数増幅器の出力段での作業に使用され、2つのオプションの柔軟なリードを備えた金属ケースで製造されます。最大電力300および600 W、それぞれ重量2および5 g、 -40〜+55°Cの動作温度範囲。トランジスタの主なパラメータを以下に示します。


UK=1BおよびIe=での静電流伝達係数
電圧UMtV、Rc=200オームおよびTC=55°Cで。。。。。
逆電流、µA; Ukb \ u003d10Vのコレクター。、Ueb = 10 Vのエミッタ、。
OB回路の電流伝送の限界周波数MHz。。
Ik=0およびIb=-2mAでの電圧Vac、V。。。。。。
コレクタ電流、A転移温度、°С。。。
総熱抵抗、°C / mW、最大電力、mW：600。。。。。。

熱抵抗遷移-ケース、°C /mW...。
コレクターによって消費される電力*、mW"。。。。

*周囲温度が25°Cを超える場合。 mW、Pc.max = 10（85-GS）、

高周波および極超短波。トランジスタn-p-n KT601Aは、動作温度範囲が3gの柔軟なリードを備えた金属ケースで製造されています。 – 40〜+85°С。トランジスタの入力および出力特性には、以下の主要なパラメータが示されています。

Un =20VおよびIe=10mAでの静電流伝達係数.......。。。。。。 16
I8 = 10 mA、Uk = 20 V、f =20MHzでの電流伝達係数モジュール。 ............ 2
Ueb = 2 Vでの逆エミッタ電流µA .... 50
コレクタ-エミッタ間電圧での初期コレクタ電流µA、V：50.................。。 60100.............。 ..... 500
コレクター電流、mA ......... .... 30
ベース電流、mA。 .......。。。。 ..。。 30
エミッタをオフにした状態での電圧Uns、V。。 100電圧UK8、V .................. 100電圧U8s、V。..... 2
フィードバック回路の時定数、ps、UK = 50 V、Ie = 6 mA、f=5MHz。。 ...... 600
転移温度、°С........... 150
コレクターによって消費される電力、mW：ヒートシンクあり..............500ヒートシンクなし。。。。。。。 250

トランジスタ n-p-n KT602（A、B、C、G）は、-40〜 + 85°Cの動作温度範囲で、4jirの重さの柔軟なリードを備えた金属ケースで製造されています。入出力特性を図1に示します。 65、e、f、および主なパラメータを以下に示します。


Uk = 10 V、I9 =10mAでの静電流伝達係数。。
G9 =50mAでベース電流の位相反転が発生するコレクタ電圧V......。
Rbでの電圧uk、V<1 кОм и темпе-ратуре перехода, °С:
120未満.....
UKB =50Vおよびf=-2MHzでのコレクタ容量pF.....。
エミッタ容量、pF、 Uob \ u003d P、f \ u003d 2 MHz、
Uebでの逆エミッタ電流μA-5V
コレクタ逆電流μA、グループAの場合。BはUkb \ u003d 120 V、グループCの場合はG-80V。
コレクタの初期電流。トーラス、μA、Rbで\ u003d10オームおよびウケ\u003dグループAおよびBの場合は100V、ウカ-グループC、Dの場合は\ u003d 70 V、
Ik =50mAおよびI6=5mAでの飽和モードVの電圧UkeおよびUe6
フィードバック回路の時定数、ps、I„ = 10 V、Ie = 10 mA、f =2MHzで......
コレクター電流、mA
コレクターパルス電流、mA...。
エミッタ電流、mA。、
Uk = 10 V、Ie = 25 mA、f =100MHzでの電流伝達係数モジュール.....
電圧Ueb、V、Taで-40 de+120°С......。
総熱抵抗、°C/W。、
転移温度、°С。。。 .....。
Tk = 20°CでコレクターWによって消費される電力：ヒートシンク付き。。
ヒートシンクなし。。
Tc =85°СでコレクターWによって消費される電力：
ヒートシンク付き。。
ヒートシンクなし。。

トランジスタ n-p-n KT603（A-E）は、-40 dr + 85°Cの動作温度範囲で、重量2gの柔軟なリードを備えた金属ケースで製造されています。それらの主なパラメータを以下に示します。


Uk = 2 V、Ik =150mAでの静電流伝達係数。。
Ie = 30 mA、Uk = 10 V、f =100MHzでの電流伝達係数モジュール。。
f = 5 MHzでの遷移容量pF：Uk6 =10Vでのコレクタ。
Uab=0の場合のエミッタ。。
コレクター-レクター電圧-ベースでのコレクター逆電流μA、括弧内に示されています。。。
電圧 U kbとUke、V、 Rbで<1 кОм и температуре среды, °С: от — 40 до

逆エミッタ電流、uA ..... 3
フィードバック回路の時定数、PS、Uk-= 10 V、Ie = 30 mA、f = 2 MHz ... 400
Ik =150mAおよびIb=15 mAでの飽和モードの電圧V：Uke。。。 1Ueb。。。 1.5
テンションエミッター-ベース、V .... 3
いいえ、Ik =150mAでの吸収時間。およびI6=15mA。。。 100
コレクター電流、mA ... 300コレクターパルス電流、mA。 600
総熱抵抗、°С/ W 200接合部温度、°С。 120
TcでコレクターWによって消費される電力<50°С... 0,5

トランジスタ n-p-n KT604（A、B）スイープジェネレータの回路およびアンプの出力段での動作に使用され、動作温度範囲が-25〜+100°Cの5gのフレキシブルリードを備えた金属ケースで製造されます。それらの主なパラメータを以下に示します。

グループのU3=200mAおよびUk=40Vでの静電流伝達係数：
KT604A........。 ...... 10-40KT604B.......。 30-120
Uk = 40 V、Ie = 20 mA、f =20MHzでの電流伝達係数モジュール;......2
コレクター電流、mA。。。 ........ 200
初期：UKeでのコレクタ電流μA= "=250-V。 ...............50
UEb = 5 Vでの逆エミッタ電流µA。：。 Uks =40Vおよびf=での100コレクタ容量pF
= 2 MHz ........... 7
U8b =0Vおよびf=2MHzでのエミッタ容量pF..................50
電圧Un、V、Rb = 1 kOhmおよび温度、°С：20..............。 250150 ... ............. 125
電圧英国; B、温度で、°С：20................。 300150。 ..............。 150
飽和モードの電圧Ula、V、Ik = 20 mA、Ib = 2 mA ............. 8
電圧UBBV、温度、СС：20。 ...............B150。。 .............。 2.5
20°Cの接合部温度でコレクターWによって消費される電力。、ヒートシンク付き............3ヒートシンクなし...........0.8
総熱抵抗、°С/W。 -。。。 150熱抵抗遷移-»ケース、°С/W。。 ............ ... 40転移温度、CC。。。。。。。 ; 150

トランジスタ n-p-n KT605（A、B）ディスプレイデバイスのスイープジェネレータ、電圧変換器、ビデオアンプ、およびアンプの出力ステージでの動作に使用され、2 gの重さの柔軟なリード（図65、aを参照）を備えた金属ガラスケースで製造され、さまざまな動作範囲を備えています。 —25から+100°Сまでの温度。それらの主なパラメータを以下に示します。

グループのIe=20mAおよびUK=40 Vでの静電流伝達係数：
KT605A ........... 10-40 KT605B ....... 30-120
f = 20 MHz、Uk = 40 V Ie=20での電流伝達係数モジュール。 ma。。 ..... 2
初期コレクタ電流。 µA、UKa = 11 =250Vで。 ; 。。：.. .......... 50
コレクターパルス電流、mA。。。。。 200逆エミッタ電流、μA、U36=5°Vで。100
.Capacity、pF、at f = 2. Mpo Collector at Ukb --4t）V ........ 7 Emitter at Ueb = 0 V ......... 50
電圧UK9、V、飽和モード、Ik = 20 mA、Ib = 2 mA ........... 8
電圧UK9、V、yari Re \ u003d1kOhmおよびTa-\u003d-25-+100°С。 ............... 250
-25から+100°Cへの転移温度での電圧V：コレクター-ベース...........300-エミッター-ベース...........5
電力、mW、コレクターによって消費される、温度、°С:。 20 ...............400100。。。。 .............. 170
熱抵抗、°С/ W ....... 300転移温度、°С»、。。。。 ... 150

トランジスタ n-p-n KT608（A、B）柔軟なリード（図65、aを参照）を備えた金属ケースで製造され、重量は2 g、動作温度の範囲は-40〜+85°Cです。トランジスタの電気的パラメータを以下に示します。

静的。グループのIe=200 mA、Uk = 50 V、Tp = 25°Cでの電流伝達係数：KT608A .......... 20 80 KT608B ......... .... .. .. ... 40-160
f =100MHzおよびUke=10Oeでの電流伝達係数モジュール..........2
コレクタパルス電流、mA、デューティサイクル10。。。。。 .......... 800
逆電流、µA：コレクター.............10エミッター.............10
コレクター電流、mA ........... 400
f = 2 MHzでの静電容量pF：UKB =10Vでのコレクター...。 ....... UEb=0で15エミッター.V.........50
Ib =80mAおよびIk=400 mAでの飽和モードの電圧V：コレクター-エミッター..........1エミッター-ベース。。。。。。。、。。。 2
TPでの電圧Ukv、-V<70°С..... 60 Напряжение UкЭ, В........... 60 Напряжение UЭб, В....... 4
インパルス電圧UkbおよびUke、V ... 80電力、mW、コレクターによって消費、20°C ................ 500
I6 =15mAおよび1K-50mAでの吸収時間ではありません..............。 120
ケース温度、°С.......... 85ジャンクション温度、°С......... 120総熱抵抗、°С/W...»200

トランジスタ n-p-n KT611（A-D）電圧増幅器、パルス信号発生器、キー回路、およびその他の無線エンジニアリングデバイスでの作業に使用され、動作温度範囲が-25〜+100°Cの5gの柔軟なリードを備えた金属ケースで製造されます。トランジスタの電気的パラメータを以下に示します。

トランジスタn-p-nKT617Aは、0.84 gのフレキシブルリードを備えた金属ケースで製造され、動作温度範囲は-40〜Ch-85°Cです。トランジスタの電気的パラメータを以下に示します。