Tranzystor średniej mocy 600 V

Tranzystory średniej mocy

Częstotliwości niskie i średnie. tranzystory r-n-r GT403 (A - I, 10) produkowane są w metalowej walizce z elastycznym materiałem),

o wadze 4 g, w zakresie temperatur pracy od - 55 do + 700C.

Ich główne parametry podano poniżej.

Uwagi: 1. Napięcie Ueb dla GT403D wynosi 30 V, a dla wszystkich pozostałych grup - 20 V 2 Rezystancja termiczna tranzystorów GT403V i GT403E z radiatorem wynosi 12°C/W.

tranzystory n-p-n GT404 (A, B, C, D) służą do pracy na stopniach wyjściowych wzmacniaczy częstotliwości audio i są produkowane w metalowej obudowie z elastycznymi przewodami w dwóch opcjach, zaprojektowanej dla maksymalnej mocy 300 i 600 W, o masie odpowiednio 2 i 5 g, o zakres temperatur pracy od -40 do + 55 °C. Poniżej podano główne parametry tranzystorów.

* W temperaturze otoczenia powyżej 25 °C mocy. mW, Pc.max= 10(85-GS),

Wysoka i ultra wysoka częstotliwość. Tranzystory n-p-n KT601A produkowane są w metalowej obudowie z elastycznymi przewodami o masie 3g i zakresie temperatur pracy. – 40 do +85°С. Charakterystyki wejściowe i wyjściowe tranzystorów podano ich główne parametry - poniżej.

• Współczynnik przewodzenia prądu statycznego przy Un=20 V i Ie=10 mA....... . . . . . . 16
• Moduł współczynnika przenoszenia prądu przy I8=10 mA, Uk=20 V i f=20 MHz. ............ 2
• Prąd emitera wstecznego, µA, przy Ueb=2 V.... 50
• Prąd początkowy kolektora, µA, przy napięciu kolektor-emiter, V: 50 ........... ...... . . 60100 .......... ... . ..... 500
• Prąd kolektora, mA ............. 30
• Prąd bazowy, mA. ....... . . . ... . trzydzieści
• Napięcie Uns, V, z wyłączonym emiterem. . 100 Napięcie UK8, V .................. 100 Napięcie U8s, V. ..... 2
• Stała czasowa obwodu sprzężenia zwrotnego, ps, przy UK=50 V, Ie=6 mA, f=5 MHz. . ...... 600
• Temperatura przejścia, ° С........... 150
• Moc rozpraszana przez kolektor, mW: z radiatorem .............. 500 bez radiatora. . . . . . . 250

tranzystory n-p-n KT602 (A, B, C, G) produkowane są w metalowej obudowie z elastycznymi przewodami o wadze 4jr, w zakresie temperatur pracy od -40 do +85 °C. Charakterystykę wejściową i wyjściową przedstawiono na rys. 65, e, f, a główne parametry podano poniżej.

tranzystory n-p-n KT603 (A-E) produkowane są w metalowej walizce z giętkimi przewodami o wadze 2 g, w zakresie temperatur pracy od -40 dr +85 °C. Ich główne parametry podano poniżej.

• Prąd wsteczny emitera, uA ..... 3
• Stała czasowa obwodu sprzężenia zwrotnego, PS, At Uk - = 10 V, Ie = 30 mA i f = 2 MHz ... 400
• Napięcie, V, w trybie nasycenia przy Ik=150 mA i Ib=15 mA: Uke. . . 1 Ueb. . . 1,5
• Emiter napięcia - podstawa, V .... 3
• Czas resorpcji, nie, przy Ik=150 mA. i I6=15 mA. . . 100
• Prąd kolektora, mA... 300 Prąd impulsowy kolektora, mA. 600
• Całkowity opór cieplny, °С/W 200 Temperatura złącza, °С. 120
• Moc rozpraszana przez kolektor, W, przy Tc<50°С... 0,5

tranzystory n-p-n KT604 (A, B) są stosowane do pracy w obwodach generatorów przemiatania i stopniach wyjściowych wzmacniaczy i są produkowane w metalowej obudowie z giętkimi przewodami o masie 5 g, w zakresie temperatur pracy od -25 do +100 °C. Ich główne parametry podano poniżej.

• Współczynnik przewodzenia prądu statycznego przy U3 = 200 mA i Uk = 40 V dla grup:
• KT604A......... ...... 10 - 40 KT604B ....... . 30-120
• Moduł współczynnika przenoszenia prądu przy Uk=40 V, Ie=20 mA i f=20 MHz;...... 2
• Prąd kolektora, mA. . . ........ 200
• Początkowy: prąd kolektora, μA, przy UKe = "= 250 -V. ............... pięćdziesiąt
• Prąd emitera wstecznego, µA, przy UEb=5 V.: . 100 Pojemność kolektora, pF, przy Uks=40 V i f=
• =2 MHz ........... 7
• Pojemność emitera, pF, przy U8b=0 V i f=2 MHz .................. 50
• Napięcie Un, V, przy Rb = 1 kOhm i temperaturze, ° С: 20 .............. . 250 150 ... ............. 125
• napięcie uk; B, w temperaturze °С: 20................. 300 150 . .............. . 150
• Napięcie Ula w stanie nasycenia, V, przy Ik=20 mA, Ib=2 mA............. 8
• Napięcie UBB V w temperaturze СС: 20 . ............... B150. . ............. . 2,5
• Moc rozpraszana przez kolektor, W, przy temperaturze złącza 20 °C; , z radiatorem ............ 3 bez radiatora ............ 0,8
• Całkowita odporność termiczna, °С/W. -. . . 150 Zmiana oporu cieplnego - » obudowa, °С/W. . ............ ... 40 Temperatura przejścia, CC. . . . . . . ; 150

tranzystory n-p-n KT605 (A, B) stosowane do pracy w generatorach przemiatania urządzeń wyświetlających, przetwornikach napięcia, wzmacniaczach wideo i stopniach wyjściowych wzmacniaczy i są produkowane w metalowo-szklanej obudowie z elastycznymi przewodami (patrz ryc. 65, a), o wadze 2 g, z zakresem działania temperatury od — 25 do + 100°С. Ich główne parametry podano poniżej.

• Statyczny współczynnik przenikania prądu przy Ie=20 mA i UK=40 V dla grup:
• KT605A ........... 10 - 40 KT605B ....... 30 - 120
• Moduł współczynnika przenoszenia prądu przy f=20 MHz, Uk=40 V Ie=20. mama. . ..... 2
• Prąd początkowy kolektora. µA, przy UKa= 11 = 250 V. . ; . . :............. pięćdziesiąt
• Prąd impulsowy kolektora, mA. . . . . 200 Prąd emitera wstecznego, μA, przy U36=5° V. 100
• .Pojemność, pF, przy f = 2. Kolektor Mpo przy Ukb - 4t) V ........ 7 emiter przy Ueb = 0 V ......... 50
• Napięcie UK9, V, w stanie nasycenia przy Ik=20 mA, Ib=2 mA...........8
• Napięcie UK9, V, yari Re \u003d 1 kOhm i Ta - \u003d - 25- + 100 ° С. ............... 250
• Napięcie, V, przy temperaturze złącza od -25 do +100 °С: kolektor - podstawa ........... 300 - emiter - podstawa ........... 5
• Moc, mW, rozpraszana przez kolektor w temperaturze °С: . 20 .................... 400 100 . . . . .............. 170
• Opór cieplny, °С/W....... 300 Temperatura przejścia, °С » , . . . . ...150

tranzystory n-p-n KT608 (A, B) produkowane w metalowej obudowie z elastycznymi przewodami (patrz ryc. 65, a), o wadze 2 g, w zakresie temperatur roboczych od -40 do + 85 ° C. Parametry elektryczne tranzystorów podano poniżej.

• Statyczny. współczynnik przenikania prądu przy Ie=200 mA, Uk=50 V i Tp=25°C dla grup: KT608A...............20 80 KT608B......... ....... ... 40 - 160
• Moduł współczynnika przenikania prądu przy f= 100 MHz i Uke=10 Oe.......... 2
• Prąd impulsowy kolektora, mA, o współczynniku wypełnienia 10 . . . . . .......... 800
• Prąd wsteczny, µA: Kolektor ............. 10 Emiter ............. 10
• Prąd kolektora, mA ............. 400
• Pojemność, pF, przy f=2 MHz: kolektor przy UKB=10 V... . .......15 emiter przy UEb=0 .V.........50
• Napięcie, V, w trybie nasycenia przy Ib = 80 mA i Ic = 400 mA: kolektor - emiter .......... 1 emiter - podstawa. . . . . . . ,. . . 2
• Napięcie Ukv,-V, przy TP<70°С..... 60 Напряжение UкЭ, В........... 60 Напряжение UЭб, В....... 4
• Napięcia impulsowe Ukb i Uke, V ... 80 Moc, mW, rozpraszana przez kolektor, przy 20 °C ............... 500
• Czas resorpcji nie, przy I6 = 15 mA i 1K -50 mA .............. . 120
• Temperatura obudowy, °С...........85 Temperatura złącza, °С.........120 Całkowity opór cieplny, °С/W...» 200

tranzystory n-p-n KT611 (A-D) stosowane do pracy we wzmacniaczach napięciowych, generatorach sygnałów impulsowych, obwodach kluczy i innych urządzeniach radiotechnicznych i są produkowane w metalowej obudowie z elastycznymi przewodami o masie 5 g, w zakresie temperatur pracy od -25 do +100 ° C. Parametry elektryczne tranzystorów podano poniżej.

Tranzystory n-p-n KT617A produkowane są w metalowej obudowie z elastycznymi przewodami o masie 0,84 g, w zakresie temperatur pracy od -40 do Ch-85 ° C. Parametry elektryczne tranzystorów podano poniżej.

• Współczynnik przewodzenia prądu statycznego przy UK=2 V i Ik=400 mA. ........ trzydzieści
• Moduł współczynnika przenoszenia prądu przy f= 100 MHz, UK=10 V i Ie,=30 mA. . . . . . 1,5
• Prąd kolektora DC, mA......400
• Prąd impulsowy kolektora, mA, o współczynniku wypełnienia 10 i Timp<80 НС........... 600
• Pojemność, pF, przy f=2 MHz: kolektor przy UKB=I0 V....... 15 emiter przy Ueb=0 V. ........ 50
• Prąd wsteczny, µA: kolektor przy UKB=30 V. . ..... 5 emiterów przy U8b=4 V.........15
• Napięcie UK8, V, b tryb nasycenia przy Ik-15 mA ............... 0,7
• Napięcie UKb, V...........30 Napięcie UKa, V.......... . 20 Napięcie Ueb, V ~.......... 4
• Moc rozpraszana przez kolektor, mW; w temperaturach od -40 do -f25°C.......500
• Stała czasowa obwodu sprzężenia zwrotnego, ps, przy f=5 MHz, Uk=5 V i Ie = 5 mA. . . . . .120
• Temperatura przejścia, °С ...... . . . 150 Złącze rezystancji termicznej - otoczenie
• środowisko, °С/mW .....................0,21

tranzystory n-p-n KT618A wydany w metalu; w szczelnej obudowie z elastycznymi przewodami (patrz ryc. 66,6), o wadze 0,84 g, w zakresie temperatur pracy od -40 do 4-85 C. Parametry elektryczne tranzystorów podano poniżej.

• Współczynnik przewodzenia prądu statycznego przy Ui=40 V i Ie=1 mA.............................. 30
• Moduł współczynnika przenoszenia prądu przy f=20 MHz U„=40 V i Ie=-20 mA. . . . . . . 2
• Prąd kolektora, mA. ........... 400. Początkowy prąd kolektora, µA, at- UK9 = 250 V.:...,.......... . pięćdziesiąt
• Pojemność, pF, przy f=2 MHzz emiter przy Ueb=0 V.......... 50 kolektor przy Ukb = 40 V........
• Prąd emitera wstecznego, μA, przy U36 = 5 V. . .100
• Napięcie Ukb, V .......... . 300 Napięcie - UK9t V,..,....,., 250 Napięcie Ueb, V........... 5
• Moc, mW, rozpraszana przez kolektory, przy To = - 40- + 25 ° С........... 500
• Częstotliwość graniczna transmisji prądu, MHz... 40
• Całkowity opór cieplny, °С/mW. . . 0,2
• Temperatura przejścia, SS ...... 150

* W temperaturze otoczenia Tс = moc 25-100 °С,

Wt Рк.max=(150-Tс)/150.

** W temperaturze obudowy TK=25-100°C moc, W. Pk max = (150-TK) / 40.

Polecamy lekturę

Antena

Marco Polo - Odkrywca Azji

Antena

Marco Polo - Odkrywca Azji

Elektryk w mieszkaniu

Kartki urodzinowe

Do samochodu

Jak schudnąć w czasie ciąży - główne niuanse

Antena

Absolutorium w drugim trymestrze

Podstawy elektrotechniki

Co musisz wiedzieć o szałwii dla kobiety w ciąży Czy kobiety w ciąży mogą przyjmować szałwiowe pastylki do ssania