Transistor de moyenne puissance 600V

Transistors de moyenne puissance

Basses et moyennes fréquences. transistors rnr GT403 (A - I, 10) sont produits dans un boîtier métallique avec flexible),

pesant 4 g, avec une plage de températures de fonctionnement de - 55 à + 700C.

Leurs principaux paramètres sont donnés ci-dessous.

Remarques : 1. La tension Ueb pour GT403D est de 30 V. et pour tous les autres groupes - 20 V 2 La résistance thermique des transistors GT403V et GT403E avec dissipateur thermique est de 12 °C/W.

transistors n-p-n GT404 (A, B, C, D) sont utilisés pour travailler dans les étages de sortie des amplificateurs de fréquence audio et sont produits dans un boîtier métallique avec des câbles flexibles de deux options, conçus pour une puissance maximale de 300 et 600 W, avec un poids de 2 et 5 g, respectivement, avec un plage de température de fonctionnement de -40 à + 55 °C. Les principaux paramètres des transistors sont donnés ci-dessous.

* À des températures ambiantes supérieures à 25 °C puissance. mW, Pc.max= 10(85-GS),

Haute et ultra haute fréquence. Transistors n-p-n Les KT601A sont produits dans un boîtier métallique avec des câbles flexibles pesant 3g et une plage de température de fonctionnement. – 40 à + 85°С. Les caractéristiques d'entrée et de sortie des transistors sont données leurs principaux paramètres - ci-dessous.

• Coefficient de transfert de courant statique à Un=20 V et Ie=10 mA....... . . . . . . 16
• Module coefficient de transfert de courant à I8=10 mA, Uk=20 V et f=20 MHz. ............ 2
• Courant d'émetteur inverse, µA, à Ueb=2 V.... 50
• Courant collecteur initial, µA, à la tension collecteur-émetteur, V : 50 ........... ...... . . 60100 ......... ... . ..... 500
• Courant collecteur, mA ......... .... 30
• Courant de base, mA. ....... . . . . .. . . trente
• Tension Uns, V, émetteur éteint. . 100 Tension UK8, V.................. 100 Tension U8s, V. ..... 2
• Constante de temps du circuit de rétroaction, ps, à UK=50 V, Ie=6 mA, f=5 MHz. . ...... 600
• Température de transition, ° C........... 150
• Puissance dissipée par le collecteur, mW : avec dissipateur ............... 500 sans dissipateur. . . . . . . 250

transistors n-p-n KT602 (A, B, C, G) sont réalisées dans un boîtier métallique à cordons souples, pesant 4ji r, avec une plage de températures de fonctionnement de -40 à + 85 °C. Les caractéristiques d'entrée et de sortie sont indiquées sur la fig. 65, e, f, et les principaux paramètres sont donnés ci-dessous.

transistors n-p-n KT603 (A - E) sont réalisées dans un boîtier métallique à cordons souples, pesant 2 g, avec une plage de températures de fonctionnement de -40 à +85 °C. Leurs principaux paramètres sont donnés ci-dessous.

• Courant d'émetteur inverse, uA..... 3
• Constante de temps du circuit de rétroaction, PS, At Uk - = 10 V, Ie = 30 mA et f = 2 MHz ... 400
• Tension, V, en mode saturation à Ik=150 mA et Ib=15 mA : Uke. . . 1 ub. . . 1.5
• Émetteur de tension - base, V .... 3
• Temps de résorption, non, à Ik=150 mA. et I6 = 15mA. . . 100
• Courant de collecteur, mA... 300 Courant d'impulsion de collecteur, mA. 600
• Résistance thermique totale, °С/W 200 Température de jonction, °С. 120
• Puissance dissipée par le collecteur, W, à Tc<50°С... 0,5

transistors n-p-n KT604 (A, B) sont utilisés pour fonctionner dans les circuits des générateurs de balayage et des étages de sortie des amplificateurs et sont produits dans un boîtier métallique avec des cordons souples pesant 5 g, avec une plage de température de fonctionnement de -25 à +100 °C. Leurs principaux paramètres sont donnés ci-dessous.

• Coefficient de transfert de courant statique à U3 = 200 mA et Uk = 40 V pour les groupes :
• KT604A........ . ...... 10 - 40 KT604B ....... . 30-120
• Module coefficient de transfert de courant à Uk=40 V, Ie=20 mA et f=20 MHz ;...... 2
• Courant de collecteur, mA. . . ........ 200
• Initial : courant de collecteur, μA, à UKe = "= 250 -V. ............... cinquante
• Courant d'émetteur inverse, µA, à UEb=5 V. : . 100 Capacité du collecteur, pF, à Uks=40 V et f=
• =2MHz ........... 7
• Capacité de l'émetteur, pF, à U8b=0 V et f=2 MHz .................. 50
• Tension Un, V, à Rb = 1 kOhm et température, ° С : 20 .............. . 250 150 ... ............. 125
• Tension uk ; B, à température, °С : 20................. 300 150 . .............. . 150
• Tension Ula en mode saturation, V, à Ik=20 mA, Ib=2 mA............ 8
• Tension UBB V, à température, СС : 20 . ...............B150. . ............. . 2.5
• Puissance dissipée par le collecteur, W, à une température de jonction de 20 °C ; , avec dissipateur thermique............ 3 sans dissipateur thermique............ 0,8
• Résistance thermique totale, °С/W. -. . . 150 Transition de résistance thermique - » cas, °С/W. . ............ ... 40 Température de transition, CC. . . . . . . ; 150

transistors n-p-n KT605 (A, B) utilisés pour le fonctionnement dans les générateurs de balayage des dispositifs d'affichage, des convertisseurs de tension, des amplificateurs vidéo et des étages de sortie des amplificateurs et sont produits dans un boîtier en métal-verre avec des fils flexibles (voir Fig. 65, a), pesant 2 g, avec une plage de fonctionnement températures de — 25 à + 100°С. Leurs principaux paramètres sont donnés ci-dessous.

• Coefficient de transfert de courant statique à Ie=20 mA et UK=40 V pour les groupes :
• KT605A ........... 10 - 40 KT605B ....... 30 - 120
• Module coefficient de transfert de courant à f=20 MHz, Uk=40 V Ie=20. maman. . ..... 2
• Courant collecteur initial. µA, à UKa= 11 = 250 V. . ; . . :.. .......... cinquante
• Courant d'impulsion du collecteur, mA. . . . . 200 Courant d'émetteur inverse, μA, à U36=5° V. 100
• .Capacité, pF, à f = 2. Mpo collecteur à Ukb - 4t) V ........ 7 émetteur à Ueb = 0 V ......... 50
• Tension UK9, V, en mode saturation à Ik=20 mA, Ib=2 mA........... 8
• Tension UK9, V, yari Re \u003d 1 kOhm et Ta - \u003d - 25- + 100 ° С. ............... 250
• Tension, V, à température de jonction de -25 à +100 °С : collecteur - base ........... 300 - émetteur - base ........... 5
• Puissance, mW, dissipée par le collecteur, à température, °С : . 20 .... ........... 400 100 . . . . .............. 170
• Résistance thermique, °С/W....... 300 Température de transition, °С » , . . . . ... 150

transistors n-p-n KT608 (A, B) produit dans un boîtier métallique avec des fils flexibles (voir Fig. 65, a), pesant 2 g, avec une plage de températures de fonctionnement de - 40 à + 85 ° C. Les paramètres électriques des transistors sont donnés ci-dessous.

• Statique. coefficient de transfert de courant à Ie=200 mA, Uk=50 V et Tp=25°C pour les groupes : KT608A............20 80 KT608B......... ....... ... 40 - 160
• Module coefficient de transfert de courant à f= 100 MHz et Uke=10 Oe.......... 2
• Courant d'impulsion du collecteur, mA, avec un rapport cyclique de 10 . . . . . .......... 800
• Courant inverse, µA : Collecteur............. 10 Emetteur.............. 10
• Courant de collecteur, mA........... 400
• Capacité, pF, à f=2 MHz : collecteur à UKB=10 V... . ....... 15 émetteur à UEb=0 .V......... 50
• Tension, V, en mode saturation à Ib = 80 mA et Ic = 400 mA : collecteur - émetteur .......... 1 émetteur - base. . . . . . . , . . . 2
• Tension Ukv,-V, à TP<70°С..... 60 Напряжение UкЭ, В........... 60 Напряжение UЭб, В....... 4
• Tensions d'impulsion Ukb et Uke, V ... 80 Puissance, mW, dissipée par le collecteur, à 20 °C ................ 500
• Temps de résorption, non, à I6 = 15 mA et 1K -50 mA .............. . 120
• Température du boîtier, °С.......... 85 Température de jonction, °С......... 120 Résistance thermique totale, °С/W...» 200

transistors n-p-n KT611 (A - D) utilisés pour fonctionner dans des amplificateurs de tension, des générateurs de signaux d'impulsion, des circuits clés et d'autres dispositifs d'ingénierie radio et sont produits dans un boîtier métallique avec des câbles flexibles pesant 5 g, avec une plage de température de fonctionnement de -25 à +100 ° C. Les paramètres électriques des transistors sont donnés ci-dessous.

Les transistors n-p-n KT617A sont produits dans un boîtier métallique avec des fils souples pesant 0,84 g, avec une plage de température de fonctionnement de -40 à Ch-85 ° C. Les paramètres électriques des transistors sont donnés ci-dessous.

• Coefficient de transfert de courant statique à UK=2 V et Ik=400 mA. ........ trente
• Module de coefficient de transfert de courant à f= 100 MHz, UK=10 V et Ie,=30 mA. . . . . . 1.5
• Courant de collecteur CC, mA ...... 400
• Courant d'impulsion du collecteur, mA, avec un rapport cyclique de 10 et Timp<80 НС........... 600
• Capacité, pF, à f=2 MHz : collecteur à UKB=I0 V....... 15 émetteur à Ueb=0 V. ........ 50
• Courant inverse, µA : collecteur à UKB=30 V. . ..... 5 émetteurs à U8b=4 V.........15
• Tension UK8, V, mode saturation b à Ik-15 mA ............... 0,7
• Tension UKb, V...........30 Tension UKa, V.......... . 20 Tension Ueb, V ~ ........... 4
• Puissance dissipée par le collecteur, mW ; à des températures de -40 à -f25°C.......500
• Constante de temps du circuit de rétroaction, ps, à f=5 MHz, Uk=5 V et Ie = 5 mA. . . . . .120
• Température de transition, °С ...... . . . 150 Jonction de résistance thermique - ambiante
• environnement, °С/mW.......................0,21

transistors n-p-n KT618A publié en métal; dans un boîtier étanche avec des cordons souples (voir Fig. 66.6), pesant 0,84 g, avec une plage de température de fonctionnement de -40 à 4-85 C. Les paramètres électriques des transistors sont donnés ci-dessous.

• Coefficient de transfert de courant statique à Ui=40 V et Ie=1 mA...................... 30
• Module coefficient de transfert de courant à f=20 MHz U„=40 V et Ie=-20 mA. . . . . . . 2
• Courant de collecteur, mA. ........... 400. Courant collecteur initial, µA, at- UK9 = 250 V.:...,......... . cinquante
• Capacité, pF, à f=2 MHzz émetteur à Ueb=0 V.......... 50 collecteur à Ukb = 40 V........
• Courant d'émetteur inverse, μA, à U36 = 5 V. . .100
• Tension Ukb, V .......... . 300 Tension - UK9t V,..,....,., 250 Tension Ueb, V........... 5
• Puissance, mW, dissipée par les collecteurs, à To = - 40- + 25 ° С........... 500
• Fréquence limite de transmission actuelle, MHz... 40
• Résistance thermique totale, °С/mW. . . 0,2
• Température de transition, SS ...... 150

* A température ambiante Tс = 25-100 °С puissance,

Mar Рк.max=(150-Tс)/150.

** A la température du boîtier TK=25-100°C puissance, W. Pk max = (150-TK) / 40.

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