Transistor di media potenza da 600 V
Transistori di media potenza
Frequenze basse e medie. transistor r-n-r GT403 (A - I, 10) sono prodotti in una custodia di metallo con flessibile),
del peso di 4 g, con un range di temperature di esercizio da - 55 a + 700°C.
I loro parametri principali sono riportati di seguito.
GT403 (AE, K) |
GT403 (W, I) |
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Coefficiente di trasferimento di corrente statico a Ik=0,45 A..... |
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corrente inversa, μA, a 20 °С: |
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Coefficiente di trasferimento di corrente a Ie=100 mA, Uh=5 V e f=50-300 Hz per gruppi: GT403 (LA, B, G) ...... |
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GT403 (Si, Sol, Re) ...... |
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GT403 (10) ........ |
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Limitazione della frequenza di trasferimento della corrente, kHz, in un circuito con OE a Ie=100 mA e UK=5 V per ipynn: GT403 (A - B, E, F, I, 10) |
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GT403 (SOL, RE) ........ |
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Tensioni, V, in modalità saturazione: |
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Tensioni Ukb e Uke, V, per gruppi: GT403 (A, B, 10) ...... |
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GG403 (V, D, D, E) ..... |
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Resistenza termica, °С/W: |
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Temperatura di transizione, °C. . . . |
Note: 1. La tensione Ueb per GT403D è 30 V. e per tutti gli altri gruppi - 20 V 2 La resistenza termica dei transistor GT403V e GT403E con dissipatore di calore è 12 °C/W.
transistor n-p-n GT404 (A, B, C, D) sono utilizzati per lavorare negli stadi di uscita degli amplificatori di audio frequenza e sono prodotti in una custodia metallica con conduttori flessibili di due opzioni, progettati per una potenza massima di 300 e 600 W, con un peso rispettivamente di 2 e 5 g, con un campo di temperatura di esercizio da -40 a + 55 °C. Di seguito sono riportati i parametri principali dei transistor.
Coefficiente di trasferimento di corrente statico a UK=1B e Ie= |
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Tensione UMtV, a Rc=200 Ohm e TC=55°C. . . . . |
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Corrente inversa, µA; collettore a Ukb \u003d 10 V. . , emettitore a Ueb=10 V, . |
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La frequenza limite della trasmissione di corrente, MHz, nel circuito OB. . |
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Tensione Vac, V, a Ik=0 e Ib= -2 mA. . . . . . |
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Corrente del collettore, A Temperatura di transizione, °С. . . |
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Resistenza termica totale, °C/mW, per potenza massima, mW: 600. . . . . . |
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Transizione di resistenza termica - custodia, °C / mW .... |
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Potenza * dissipata dal collettore, mW". . . . |
* A temperature ambiente superiori a 25 °C di potenza. mW, Pz.max= 10(85-GS),
Alta e ultra alta frequenza. Transistori n-p-n I KT601A sono prodotti in una custodia di metallo con cavi flessibili del peso di 3 g e range di temperatura di esercizio. – 40 a + 85°С. Le caratteristiche di ingresso e di uscita dei transistor sono indicate con i loro parametri principali - di seguito.
- Coefficiente di trasferimento di corrente statico a Un=20 V e Ie=10 mA....... . . . . . . 16
- Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a I8=10 mA, Uk=20 V e f=20 MHz. ............... 2
- Corrente emettitrice inversa, µA, a Ueb=2 V.... 50
- Corrente iniziale del collettore, µA, alla tensione collettore-emettitore, V: 50 ........... ...... . . 60100 .......... ... . ..... 500
- Corrente del collettore, mA ......... .... 30
- Corrente di base, mA. ....... . . . . .. . . trenta
- Tensione Uns, V, con emettitore spento. . 100 Tensione UK8, V.................. 100 Tensione U8s, V. ..... 2
- Costante di tempo del circuito di feedback, ps, a UK=50 V, Ie=6 mA, f=5 MHz. . ...... 600
- Temperatura di transizione, ° С........... 150
- Potenza dissipata dal collettore, mW: con dissipatore .............. 500 senza dissipatore. . . . . . . 250
transistor n-p-n KT602 (A, B, C, G) sono prodotti in una custodia metallica con conduttori flessibili, del peso di 4ji r, con un range di temperature di esercizio da -40 a + 85 °C. Le caratteristiche di ingresso e uscita sono mostrate in fig. 65, e, f, ei parametri principali sono riportati di seguito.
Coefficiente di trasferimento di corrente statico a Uk=10 V, I9=10 mA. . |
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Tensione di collettore, V, alla quale si verifica l'inversione di fase della corrente di base a G9 = 50 mA....... |
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Tensione uk, V, a Rb<1 кОм и темпе-ратуре перехода, °С: |
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sotto 120..... |
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Capacità del collettore, pF, a UKB=50 V e f= -2 MHz...... |
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Capacità dell'emettitore, pF, Con Uob \u003d P, f \u003d 2 MHz, |
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Corrente inversa dell'emettitore, μA, a Ueb - 5 V |
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Corrente inversa del collettore, μA, per i gruppi A. B a Ukb \u003d 120 V e per i gruppi C, G - 80 V. . |
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La corrente iniziale del collettore. toro, μA, a Rb \u003d 10 Ohm e Uke \u003d 100 V per i gruppi A e B e Uka - \u003d 70 V per i gruppi C, D, |
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Tensione Uke e Ue6 in modalità saturazione, V, a Ik=50 mA e I6=5 mA |
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Costante di tempo del circuito di feedback, ps, a I„=10 V, Ie=10 mA, f=2 MHz...... |
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Corrente del collettore, mA |
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Corrente impulsiva collettore, mA.... |
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Corrente di emettitore, mA. , |
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Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a Uk=10 V, Ie=25 mA, f=100 MHz..... |
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Tensione Ueb, V, a Ta da - 40 de + 120 ° С....... |
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Resistenza termica totale, °C/W. , |
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Temperatura di transizione, °C. . . ...... |
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Potenza dissipata dal collettore, W, a Tk=20°C: con dissipatore di calore. . |
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senza dissipatore di calore. . |
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Potenza dissipata dal collettore, W, a Tc=85°С: |
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con dissipatore di calore. . |
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senza dissipatore di calore. . |
transistor n-p-n KT603 (A - E) sono prodotti in una custodia di metallo con conduttori flessibili, del peso di 2 g, con un range di temperature di esercizio da -40 dr +85 °C. I loro parametri principali sono riportati di seguito.
Coefficiente di trasferimento di corrente statico a Uk=2 V, Ik=150 mA. . |
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Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a Ie=30 mA, Uk=10 V e f= 100 MHz. . |
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Capacità di transizione, pF, a f=5 MHz: collettore a Uk6=10 V. |
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emettitore quando Uab=0. . |
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Corrente inversa del collettore, μA, alla tensione del collettore-lettore - la base, indicata tra parentesi. . . |
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Voltaggio U kb e Uke, V, a Rb<1 кОм и температуре среды, °С: от — 40 до |
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- Corrente emettitore inversa, uA..... 3
- Costante di tempo del circuito di retroazione, PS, At Uk - = 10 V, Ie = 30 mA ef = 2 MHz ... 400
- Tensione, V, in modalità saturazione a Ik=150 mA e Ib=15 mA: Uke. . . 1 Ueb. . . 1.5
- Emettitore di tensione - base, V .... 3
- Tempo di riassorbimento, no, a Ik=150 mA. e I6=15 mA. . . 100
- Corrente collettore, mA... 300 Corrente impulsiva collettore, mA. 600
- Resistenza termica totale, °С/W 200 Temperatura di giunzione, °С. 120
- Potenza dissipata dal collettore, W, a Tc<50°С... 0,5
transistor n-p-n KT604 (A, B) sono utilizzati per il funzionamento nei circuiti di generatori di spazzamento e stadi di uscita di amplificatori e sono prodotti in una custodia metallica con conduttori flessibili del peso di 5 g, con un intervallo di temperatura di esercizio da -25 a +100 °C. I loro parametri principali sono riportati di seguito.
- Coefficiente di trasferimento di corrente statico a U3 = 200 mA e Uk = 40 V per i gruppi:
- KT604A........ . ...... 10 - 40 KT604B ....... . 30-120
- Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a Uk=40 V, Ie=20 mA e f=20 MHz;...... 2
- Corrente del collettore, mA. . . ........ 200
- Iniziale: corrente di collettore, μA, a UKe = "= 250 -V. ............... cinquanta
- Corrente emettitrice inversa, µA, a UEb=5 V.: . 100 Capacità del collettore, pF, a Uks=40 V ef=
- =2 MHz ........... 7
- Capacità dell'emettitore, pF, a U8b=0 V e f=2 MHz .................. 50
- Tensione Un, V, a Rb = 1 kOhm e temperatura, ° С: 20 .............. . 250 150 .................... 125
- Tensione uk; B, a temperatura, °С: 20................. 300 150 . .............. . 150
- Tensione Ula in modalità saturazione, V, a Ik=20 mA, Ib=2 mA.................. 8
- Tensione UBB V, a temperatura, СС: 20 . ............... B150. . ................ . 2.5
- Potenza dissipata dal collettore, W, ad una temperatura di giunzione di 20 °C; , con dissipatore di calore ........... 3 senza dissipatore di calore ........... 0,8
- Resistenza termica totale, °С/W. -. . . 150 Transizione resistenza termica - » custodia, °С/W. . ............... ... 40 Temperatura di transizione, CC. . . . . . . ; 150
transistor n-p-n KT605 (A, B) utilizzati per funzionare in generatori di spazzata di dispositivi di visualizzazione, convertitori di tensione, amplificatori video e stadi di uscita di amplificatori e sono prodotti in una custodia di metallo-vetro con conduttori flessibili (vedi Fig. 65, a), del peso di 2 g, con una gamma di funzionamento temperature da — 25 a + 100°С. I loro parametri principali sono riportati di seguito.
- Coefficiente di trasferimento di corrente statico a Ie=20 mA e UK=40 V per i gruppi:
- KT605A ........... 10 - 40 KT605B ....... 30 - 120
- Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a f=20 MHz, Uk=40 V Ie=20. ma. . ..... 2
- Corrente iniziale del collettore. µA, a UKa= 11 = 250 V. . ; . . :.. .......... cinquanta
- Corrente di impulso del collettore, mA. . . . . 200 Corrente emettitrice inversa, μA, a U36=5° V. 100
- .Capacità, pF, a f = 2. Collettore Mpo a Ukb - 4t) V ........ 7 emettitore a Ueb = 0 V ......... 50
- Tensione UK9, V, in modalità saturazione a Ik=20 mA, Ib=2 mA........... 8
- Tensione UK9, V, yari Re \u003d 1 kOhm e Ta - \u003d - 25- + 100 ° С. ............... 250
- Tensione, V, a temperatura di giunzione da -25 a +100 °С: collettore - base ........... 300 - emettitore - base ........... 5
- Potenza, mW, dissipata dal collettore, a temperatura, °С: . 20 .... ........... 400 100 . . . . .............. 170
- Resistenza termica, °С/W....... 300 Temperatura di transizione, °С » , . . . . ... 150
transistor n-p-n KT608 (A, B) prodotto in una custodia di metallo con conduttori flessibili (vedi Fig. 65, a), del peso di 2 g, con un intervallo di temperature di esercizio da - 40 a + 85 ° C. Di seguito sono riportati i parametri elettrici dei transistor.
- Statico. coefficiente di trasferimento di corrente a Ie=200 mA, Uk=50 V e Tp=25°C per gruppi: KT608A...............20 80 KT608B......... ....... ... 40 - 160
- Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a f= 100 MHz e Uke=10 Oe.......... 2
- Corrente di impulso del collettore, mA, con un ciclo di lavoro di 10 . . . . . .......... 800
- Corrente inversa, µA: Collettore.................. 10 Emettitore.................. 10
- Corrente collettore, mA........... 400
- Capacità, pF, a f=2 MHz: collettore a UKB=10 V... . ....... 15 emettitore a UEb=0 .V......... 50
- Tensione, V, in modalità saturazione a Ib = 80 mA e Ic = 400 mA: collettore - emettitore .......... 1 emettitore - base. . . . . . . , . . . 2
- Tensione Ukv,-V, a TP<70°С..... 60 Напряжение UкЭ, В........... 60 Напряжение UЭб, В....... 4
- Tensioni impulsive Ukb e Uke, V ... 80 Potenza, mW, dissipata dal collettore, a 20 °C .............. 500
- Tempo di riassorbimento, non, a I6 = 15 mA e 1K -50 mA .............. . 120
- Temperatura custodia, °С.......... 85 Temperatura di giunzione, °С......... 120 Resistenza termica totale, °С/W...» 200
transistor n-p-n KT611 (A - D) utilizzati per funzionare in amplificatori di tensione, generatori di segnali a impulsi, circuiti chiave e altri dispositivi di ingegneria radio e sono prodotti in una custodia metallica con conduttori flessibili del peso di 5 g, con un intervallo di temperatura di esercizio da - 25 a + 100 ° C. Di seguito sono riportati i parametri elettrici dei transistor.
I transistor n-p-n KT617A sono prodotti in una custodia metallica con conduttori flessibili del peso di 0,84 g, con un intervallo di temperatura di esercizio da -40 a Ch-85°C. Di seguito sono riportati i parametri elettrici dei transistor.
- Coefficiente di trasferimento di corrente statico a UK=2 V e Ik=400 mA. ........ trenta
- Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a f= 100 MHz, UK=10 V e Ie,=30 mA. . . . . . 1.5
- Corrente di collettore CC, mA......400
- Corrente impulsiva collettore, mA, con duty cycle di 10 e Timp<80 НС........... 600
- Capacità, pF, a f=2 MHz: collettore a UKB=I0 V....... 15 emettitore a Ueb=0 V. ........ 50
- Corrente inversa, µA: collettore a UKB=30 V. . ..... 5 emettitori a U8b=4 V.........15
- Tensione UK8, V, b modalità di saturazione a Ik-15 mA ............... 0,7
- Tensione UKb, V...........30 Tensione UKa, V.......... . 20 Tensione Ueb, V ~........... 4
- Potenza dissipata dal collettore, mW; a temperature da -40 a -f25°C.......500
- Costante di tempo del circuito di feedback, ps, a f=5 MHz, Uk=5 V e Ie = 5 mA. . . . . .120
- Temperatura di transizione, °С ...... . . . 150 Giunzione termoresistenza - ambiente
- ambiente, °С/mW .............................0,21
transistor n-p-n KT618A rilasciato in metallo; in una custodia sigillata con conduttori flessibili (vedi Fig. 66.6), del peso di 0,84 g, con un intervallo di temperatura di esercizio da -40 a 4-85 C. Di seguito sono riportati i parametri elettrici dei transistor.
- Coefficiente di trasferimento di corrente statico a Ui=40 V e Ie=1 mA.................... 30
- Modulo del coefficiente di trasferimento di corrente a f=20 MHz U„=40 V e Ie=-20 mA. . . . . . . 2
- Corrente del collettore, mA. ........... 400. Corrente collettore iniziale, µA, at- UK9 = 250 V.:...,.......... . cinquanta
- Capacità, pF, a f=2 MHzz emettitore a Ueb=0 V.......... 50 collettore a Ukb = 40 V........
- Corrente emettitrice inversa, μA, a U36 = 5 V. . .100
- Tensione Ukb, V .......... . 300 Voltaggio - UK9t V,..,....,., 250 Voltaggio Ueb, V........... 5
- Potenza, mW, dissipata dai collettori, a To = - 40- + 25 ° С........... 500
- Frequenza limite di trasmissione della corrente, MHz... 40
- Resistenza termica totale, °С/mW. . . 0.2
- Temperatura di transizione, SS ...... 150
* A temperatura ambiente Tñ = 25-100 °С potenza,
mar Рк.max=(150-Tс)/150.
** Alla temperatura della cassa TK=25-100°C potenza, W. Pk max = (150-TK) / 40.