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산업용 전자 디지털 전자 소개

반도체 장치

전자공학은 다양한 전자 장치의 구성, 작동 및 사용 원리를 연구하는 과학입니다. 전기 신호 증폭, 정보(소리, 텍스트, 이미지)의 전송 및 수신, 매개변수 측정 등 실용적인 목적에 유용한 기능을 갖춘 장치를 구축할 수 있는 것은 전자 장치의 사용입니다.

최초의 전자 장치는 1904년 영국에서 만들어졌습니다. 그것은 단방향 전류 전도 램프인 전기 진공 다이오드였습니다. 매우 빠르게(30년 이내에) 다양한 유형의 전기 진공 장치가 개발되었습니다. 품질 지표가 상당히 높지만 크기가 크고 전력 소비가 높으며 서비스 수명이 짧은 등 심각한 단점이 있었습니다. 이러한 단점은 복잡한 다기능 장치의 생산을 심각하게 방해해 왔습니다.

30대에는 집중적으로 연구 작업반도체 전자 장치의 탄생에 관한 것입니다. 비교적 짧은 시간에 이러한 다양한 반도체 소자가 탄생하여 전기 진공 소자의 모든 기능을 질적으로 수행할 수 있게 되었다. 그리고 반도체 장치는 전력 소비가 낮고 신뢰성이 높으며 무게와 크기가 작기 때문에 70년대 초에는 진공 전자 장치를 거의 완전히 대체했습니다. 소련 과학자 Losev, Frenkel, Kurchatov, Davydov, Turkevich 및 기타 많은 사람들이 반도체 전자 장치 개발에 큰 공헌을 했습니다.

1.반도체 전자장치의 분류

반도체 소자는 기능적 목적과 전자-정공 접합 수에 따라 구분됩니다. 전자-정공 접합은 반도체의 두 영역 사이의 중간 전이층이며, 그 중 하나는 전자 전도성(n형)을 갖고 다른 하나는 정공 전도성(p형)을 갖습니다. 전체 반도체 장치 세트는 하나, 둘 또는 그 이상의 접합이 있는 무접합으로 나뉩니다(그림 12.1).

무접합 장치의 사용은 대부분의 반도체 재료에서 발생하는 물리적 프로세스의 사용을 기반으로 합니다. 중독을 사용하는 장치 전기저항온도에 따른 반도체를 서미스터라고 합니다. 이 장치 그룹에는 서미스터(온도가 증가함에 따라 저항이 몇 배로 감소함)와 포지스터(온도가 증가함에 따라 저항이 증가함)가 포함됩니다. 서미스터와 포지스터는 자동화 회로 등에서 온도를 측정하고 조절하는 데 사용됩니다.

반도체 장치는 인가된 전압의 크기에 대한 저항의 의존성을 이용하는 비선형 저항으로 사용됩니다. 이러한 장치를 배리스터라고 합니다. 그들은 보호하는 데 사용됩니다 전기 회로과전압, 안정화 회로 및 물리량 변환에서.

포토레지스터(photoresistor)는 감광층에 있는 소자로, 빛을 조사하면 과도한 전자 농도가 나타나며, 이는 저항이 감소함을 의미합니다.

큰 그룹은 회로에 포함하기 위한 하나의 p-n 접합과 두 개의 리드가 있는 반도체 장치로 표시됩니다. 그들의 일반적인 이름은 다이오드입니다. 정류기, 펄스 및 범용 다이오드가 있습니다. 이 그룹에는 제너 다이오드가 포함됩니다(깨진 p-n 접합의 차동 저항의 상당한 변화로 인해 전류 및 전압을 안정화하는 데 사용됨). Varicaps(p-n 접합의 커패시턴스는인가된 전압의 크기에 따라 다름), 사진 및 LED 등

2개 이상의 p-n 접합, 3개 이상의 단자를 갖는 반도체 장치를 트랜지스터라고 합니다. 매우 큰 수기능 및 기타 특성이 다른 트랜지스터는 양극성과 전계 효과의 두 그룹으로 나뉩니다. 이 장치 그룹(3개 이상의 p-n 접합 포함)에는 스위칭 장치(사이리스터)가 포함됩니다.

집적회로(IC)는 독립적인 장치 그룹을 나타냅니다. IC는 특정 신호 변환이나 처리 기능(증폭, 생성, ADC 등)을 수행하는 제품입니다. 수백 р-n전환 및 기타 전기적으로 연결된 요소. 모든 집적 회로는 매우 다른 두 가지 클래스로 나뉩니다.

반도체 IC;

하이브리드 IC.

반도체 IC는 다이오드, 트랜지스터, 저항기 및 기타 요소가 만들어지는 두께의 반도체 결정을 나타냅니다. 이 제품은 높은 통합도, 낮은 무게 및 크기를 갖추고 있습니다.

하이브리드 IC의 기본은 회로 부품과 연결부(주로 수동 소자)가 필름 형태로 표면에 적용되는 유전체판입니다.

수량별로 나누는 것 외에도 р-n 전환그리고 기능적 목적에 따라 반도체 장치는 최대 허용 전력 및 주파수에 따라 구분됩니다(그림 12.2 참조).

고조파 진동과 그 특성. 회로의 타이밍 및 벡터 다이어그램. 저항기, 인덕턴스 및 커패시턴스가 있는 회로의 정현파 전류. 분기되지 않은 회로의 전류, 전압 및 전력 교류. 전류 및 전압, 저항 삼각형의 벡터 다이어그램. 분기 교류 회로의 전류, 전압 및 전력. 전류 및 전압, 저항 삼각형의 벡터 다이어그램. 계산 기능 분지 사슬. 복소수를 사용한 수학 연산

기초 산업 전자 - 이 책은 개별 반도체 장치와 영상 디스플레이 장치의 물리적 기초, 작동 원리, 설계 및 특성을 개괄적으로 설명합니다. 현대 전자 장치의 일반적인 구성 요소에 대해 설명합니다.

이름:산업전자공학의 기초
게라시모프 V.G.
발행자: 대학원
년도: 1986
페이지: 336
체재: PDF
크기: 33.3MB
품질:좋은

머리말
소개
제1장 반도체 소자
§1.1. 반도체의 전기 전도성, 형성 및 특성 피-N-이행
§1.2. 반도체소자의 분류
§1.3. 반도체 저항기
§1.4. 반도체 다이오드
§1.5. 바이폴라 트랜지스터
§1.6. 전계 효과 트랜지스터
§1.7. 사이리스터
§1.8. 반도체 소자의 일반적인 기술적, 경제적 특성과 명칭 제도
2장. 집적회로
§2.1. 일반 정보
§2.2. 집적회로 제조기술
§2.3. 하이브리드 집적 회로
§2.4. 반도체 집적 회로
§2.5. 집적 회로의 매개변수
§2.6. 기능 목적 및 지정 시스템에 따른 집적 회로 분류
제3장 표시장치
§3.1. 일반적인 특성표시장치의 분류 및 분류
§3.2. 전자빔 표시기
§3.3. 가스 방전 표시기
§3.4. 반도체 및 액정 표시기
§3.5. 진공 발광 및 기타 유형의 표시기
§3.6. 표시장치 지정제도
제4장. 태양광 발전 장치
§4.1. 일반 정보
§4.2. 포토레지스터
§4.3. 포토다이오드
§4.4. 특수 반도체 광전지 장치
§4.5. 전기진공 광전지
§4.5. 광전 증배관
§4.7. 광전자공학 장치
§4.8. 태양광발전소자 지정제도
5장. 증폭 단계
§5.1. 일반 정보
§5.2. 공통 이미터 증폭기 스테이지
§5.3. 공통 이미터를 사용하는 증폭기 스테이지의 온도 안정화
§5.4. 공통 컬렉터와 공통 베이스가 있는 증폭기 스테이지
§5.5. 앰프 스테이지 켜짐 전계 효과 트랜지스터
§5.6. 증폭 단계의 작동 모드
6장. 전압 및 전력 증폭기
§6.1. RC 결합 전압 증폭기
§6.2. 증폭기의 피드백
제6-3조. 증폭기 DC
§6.4. 연산 증폭기
§6.5. 선택적 증폭기
§6.6. 전력 증폭기
7장. 고조파 진동의 전자 발생기
§7.1. 일반 정보
§7.2. 자동 발전기의 자기 여기 조건
§7.3. L.C.- 자동 발전기
§7.4. R.C.- 자동 발전기
§7.5. 부저항 요소를 이용한 고조파 진동 자동 생성기
§7.6. 자동 발전기의 주파수 안정화
제8장. 펄스 및 디지털 장치
§8.1. 일반적인 특성 펄스 장치. 펄스 신호 매개변수
§8.2. 전자키간단한 펄스 신호 셰이퍼
§8.3. 논리 요소
§8.4. 트리거
§8.5. 디지털 펄스 카운터
§8.6. 레지스터, 디코더, 멀티플렉서
§8.7. 비교기와 슈미트 트리거
§8.8. 멀티바이브레이터 및 모노바이브레이터
§8.0. 선형 전압 발생기(GLIN)
§8.10. 펄스 선택기
§8.11. 디지털-아날로그 및 아날로그-디지털 변환기(DAC 및 ADC)
§8.12.. 마이크로프로세서 및 마이크로컴퓨터
제9장 전자기기의 2차 전원
§9.1. 일반 정보
§9.2. 정류기 분류
§9.3. 단상 및 3상 정류기
§9.4. 앤티앨리어싱 필터
§9.5. 정류기의 외부 특성
§9.6. 전압 및 전류 안정기
§9.7. 전압 승수
§9.8. 제어 정류기
§9.9. 변환된 가문비나무에 대한 일반 정보 직류 전압변수로
§9.10. 인버터
§9.11. 변환기
§9.12. 2차 동력원 개발 전망
제10장 전자측정기기
§10.1. 전자의 일반적인 특성 측정 장비
§10.2. 전자 오실로스코프
§10.3. 전자 전압계
§10.4. 측정 발전기
§10.5. 전자 주파수 측정기, 위상 측정기, 진폭-주파수 특성 측정기
제11장 산업에서의 전자장치의 응용
§11.1. 전자 장치의 응용
§11.2. 전자 기기기계적 수량 모니터링용
§11.3. 열 모니터링용 전자 장치
§11.4. 음향 규모를 모니터링하는 전자 장치
§11.5. 광학 크기를 모니터링하는 전자 장치
§11.6. 물질의 구성 및 특성을 모니터링하는 전자 장치
§11.7. 결함 탐지용 전자 장치
§11.8. 전자 장치 설계의 기본 원리
결론
응용
부록 I. 전자 장치의 활성 요소
부록 II. 전자 장치의 수동 소자
부록 III. 분류 및 요소 기호기능적 목적에 따른 집적 회로
부록 IV. 연산 증폭기
문학
주제 색인

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머리말
소개
제1장 반도체 소자
§1.1. 반도체의 전기 전도도, 형성 및 특성 피-N-이행
§1.2. 반도체소자의 분류
§1.3. 반도체 저항기
§1.4. 반도체 다이오드
§1.5. 바이폴라 트랜지스터
§1.6. 전계 효과 트랜지스터
§1.7. 사이리스터
§1.8. 반도체 소자의 일반적인 기술적, 경제적 특성과 명칭 제도
2장. 집적회로
§2.1. 일반 정보
§2.2. 집적회로 제조기술
§2.3. 하이브리드 집적 회로
§2.4. 반도체 집적 회로
§2.5. 집적 회로의 매개변수
§2.6. 기능 목적 및 지정 시스템에 따른 집적 회로 분류
제3장 표시장치
§3.1. 표시 장치의 일반적인 특성 및 분류
§3.2. 전자빔 표시기
§3.3. 가스 방전 표시기
§3.4. 반도체 및 액정 표시기
§3.5. 진공 발광 및 기타 유형의 표시기
§3.6. 표시장치 지정제도
제4장. 태양광 발전 장치
§4.1. 일반 정보
§4.2. 포토레지스터
§4.3. 포토다이오드
§4.4. 특수 반도체 광전지 장치
§4.5. 전기진공 광전지
§4.5. 광전 증배관
§4.7. 광전자공학 장치
§4.8. 태양광발전소자 지정제도
5장. 증폭 단계
§5.1. 일반 정보
§5.2. 공통 이미터 증폭기 스테이지
§5.3. 공통 이미터를 사용하는 증폭기 스테이지의 온도 안정화
§5.4. 공통 컬렉터와 공통 베이스가 있는 증폭기 스테이지
§5.5. 전계 효과 트랜지스터를 기반으로 한 증폭기 스테이지
§5.6. 증폭 단계의 작동 모드
6장. 전압 및 전력 증폭기
§6.1. RC 결합 전압 증폭기
§6.2. 증폭기의 피드백
제6-3조. DC 증폭기
§6.4. 연산 증폭기
§6.5. 선택적 증폭기
§6.6. 전력 증폭기
7장. 고조파 진동의 전자 발생기
§7.1. 일반 정보
§7.2. 자동 발전기의 자기 여기 조건
§7.3. L.C.- 자동 발전기
§7.4. R.C.- 자동 발전기
§7.5. 부저항 요소를 이용한 고조파 진동 자동 생성기
§7.6. 자동 발전기의 주파수 안정화
8장. 펄스 및 디지털 장치
§8.1. 펄스 장치의 일반적인 특성. 펄스 신호 매개변수
§8.2. 전자 키 및 간단한 펄스 신호 형성기
§8.3. 논리 요소
§8.4. 트리거
§8.5. 디지털 펄스 카운터
§8.6. 레지스터, 디코더, 멀티플렉서
§8.7. 비교기와 슈미트 트리거
§8.8. 멀티바이브레이터 및 모노바이브레이터
§8.0. 선형 전압 발생기(GLIN)
§8.10. 펄스 선택기
§8.11. 디지털-아날로그 및 아날로그-디지털 변환기(DAC 및 ADC)
§8.12.. 마이크로프로세서 및 마이크로컴퓨터
제9장 전자기기의 2차 전원
§9.1. 일반 정보
§9.2. 정류기 분류
§9.3. 단상 및 3상 정류기
§9.4. 앤티앨리어싱 필터
§9.5. 정류기의 외부 특성
§9.6. 전압 및 전류 안정기
§9.7. 전압 승수
§9.8. 제어 정류기
§9.9. 직류 전압을 교류 전압으로 변환하는 일반 정보
§9.10. 인버터
§9.11. 변환기
§9.12. 2차 동력원 개발 전망
제10장 전자측정기기
§10.1. 전자 측정 장비의 일반적인 특성
§10.2. 전자 오실로스코프
§10.3. 전자 전압계
§10.4. 측정 발전기
§10.5. 전자 주파수 측정기, 위상 측정기, 진폭-주파수 특성 측정기
제11장 산업에서의 전자장치의 응용
§11.1. 전자 장치의 응용
§11.2. 기계적 양을 모니터링하기 위한 전자 장치
§11.3. 열 모니터링용 전자 장치
§11.4. 음향 규모를 모니터링하는 전자 장치
§11.5. 광학 크기를 모니터링하는 전자 장치
§11.6. 물질의 구성 및 특성을 모니터링하는 전자 장치
§11.7. 결함 탐지용 전자 장치
§11.8. 전자 장치 설계의 기본 원리
결론
응용
부록 I. 전자 장치의 활성 요소
부록 II. 전자 장치의 수동 소자
부록 III. 기능적 목적에 따른 집적회로 기호의 분류 및 요소
부록 IV. 연산 증폭기
문학
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대학의 비전기공학 전문 분야에 대한 교과서입니다. — Gerasimov V.G., Knyazkov O.M., Krasnopolsky A.E., Sukhorukov V.V. — 제3판, 개정 및 확장. - Moscow: Higher School, 1986. - 336 페이지: illus. 이 책은 개별 반도체 장치 및 집적 회로, 광전 및 광전자 장치 및 시각적 표시 장치의 물리적 기초, 작동 원리, 설계 및 특성을 설명합니다. 현대 전자 장치의 일반적인 구성 요소에 대해 설명합니다. 제3판(2차 - 1978년)은 집적 회로의 사용에 중점을 두고 영상 디스플레이 장치, 광전자공학, 마이크로프로세서에 대한 자료를 소개하고 디지털 기술에 대한 정보를 확장합니다. 머리말.
반도체 장치 소개.
반도체의 전기 전도도, 형성 및 p-n 속성이행.
반도체 장치의 분류.
반도체 저항기.
반도체 다이오드.
바이폴라 트랜지스터.
전계 효과 트랜지스터.
사이리스터.
반도체 소자의 일반적인 기술적, 경제적 특성과 명칭 제도입니다. 집적 회로.
일반 정보.
집적회로 제조기술.
하이브리드 집적 회로.
반도체 집적 회로.
집적 회로의 매개변수.
기능 목적 및 지정 시스템에 따른 집적 회로 분류. 장치를 나타냅니다.
표시 장치의 일반적인 특성 및 분류.
전자빔 표시기.
가스 방전 표시기.
반도체 및 액정 표시기.
진공 발광 및 기타 유형의 표시기.
표시 장치 지정 시스템. 광전지 장치.
일반 정보.
포토레지스터.
포토다이오드.
특수 반도체 광전지 장치.
전기 진공 광전지.
광전자 증배관.
광전자 장치.
태양광 발전 장치에 대한 지정 시스템입니다. 증폭기 단계.
일반 정보.
공통 이미터가 있는 증폭기 스테이지.
공통 이미터를 사용하는 증폭기 스테이지의 온도 안정화.
공통 컬렉터와 공통 베이스가 있는 증폭기 스테이지.
전계 효과 트랜지스터를 기반으로 한 증폭 단계.
증폭 단계의 작동 모드. 전압 및 전력 증폭기.
RC 결합 전압 증폭기.
증폭기의 피드백.
DC 증폭기.
연산 증폭기.
선택적 증폭기.
전력 증폭기. 고조파 진동의 전자 발생기.
일반 정보.
자동 발전기의 자기 여기 조건.
LC 발진기.
RC 자체 발진기.
음의 저항을 갖는 요소에 대한 고조파 진동의 자동 생성기.
자동 발전기의 주파수 안정화. 펄스 및 디지털 장치.
펄스 장치의 일반적인 특성.
펄스 신호의 매개변수.
전자 키 및 간단한 펄스 신호 발생기.
논리적 요소.
트리거.
디지털 펄스 카운터.
레지스터, 디코더, 멀티플렉서.
비교기와 슈미트 트리거.
멀티바이브레이터 및 모노바이브레이터.
선형 전압 발생기(GLIN).
펄스 선택기.
디지털-아날로그 및 아날로그-디지털 변환기(DAC 및 ADC).
마이크로프로세서 및 마이크로컴퓨터. 전자 장치의 보조 전원 공급원입니다.
일반 정보.
정류기의 분류.
단상 및 3상 정류기.
앤티앨리어싱 필터.
정류기의 외부 특성.
전압 및 전류 안정기.
전압 승수.
제어되는 정류기.
DC-AC 변환기에 대한 일반 정보입니다.
인버터.
변환기.
2차 동력원 개발 전망. 전자 측정 장비.
전자 측정 장비의 일반적인 특성.
전자 오실로스코프.
전자 전압계.
측정 발전기.
전자 주파수 측정기, 위상 측정기, 진폭-주파수 특성 측정기. 산업에 전자 장치를 적용합니다.
전자 장치의 응용 분야.
기계적 양을 모니터링하기 위한 전자 장치.
열량을 모니터링하는 전자 장치.
음향량을 모니터링하기 위한 전자 장치.
광학 크기를 모니터링하는 전자 장치.
물질의 구성과 특성을 모니터링하는 전자 장치입니다.
결함 탐지 테스트를 위한 전자 장치.
전자 장치 설계의 기본 원리. 결론.
응용 프로그램.
문학.
주제 색인.

산업전자공학의 기초- 이 책은 개별 반도체 장치와 영상 디스플레이 장치의 물리적 기초, 작동 원리, 설계 및 특성을 개괄적으로 설명합니다. 현대 전자 장치의 일반적인 구성 요소에 대해 설명합니다.

이름:산업전자공학의 기초
게라시모프 V.G.
발행자:대학원
년도: 1986
페이지: 336
체재: PDF
크기: 33.3MB
품질:좋은
언어:러시아인